退火炉温度测量方案选择可行性分析
在国内外目前的快速退火炉系统中，主要的侧量方式有两种:
(1)单点测温。利用安装在腔体下面的一台红外高温计测量硅片中心点的温度信号，以该点的温度信号作为温度控制器的愉入信号去控制与
调节灯的加热功率。该种测温方式简单、成本低，但由于不能够适时地检测硅片表面不同区域的温度信号，因而控制精度较低，硅片表面温度均匀性较差、设备温度控制调试时需要花费很长时间去摸索一些温度控制修正参数。
(2)多点测温。根据加热灯的分区，每个区域选用一个红外高温计。除此之外在设计中，单独使用了另一个高温计用来侧量硅片表面发射率的动态变化。多个红外商温计对硅晶片各个区域的温度进行侧量.并将所测到的温度值返回给温度控制器:温度控制器将实时检侧到的沮度值与设置的温度值进行比较，并根据温度差去对可控硅组的导通角进行相应调节，以调节加热灯的功率，到达控制温度的目的。
通过上述两种侧温方案的对比，二种多点侧温的方式在对硅片表面温度测量的真实性方面大大优于单点测温，基本反映了硅片加热过程中表面温度的真实面貌，其产生的结果是直接提商了硅片表面温度的均匀性。但在另一方面其制造成本非常昂贵，制造技术难度也非常大。单点测温的退火炉能满足生产工艺使用要求。综合考虑上述因素，从市场、技术难度和制造成本等方面出发认为选用单点测温的方案在目前条件下是可行的。
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